米勒效應又叫密勒效應（Miller effect），在電子學(xué)反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì )擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數。雖然一般密勒效應指的是電容的放大，但是任何輸入與其它高放大節之間的阻抗也能夠通過(guò)密勒效應改變放大器的輸入阻抗。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是放大電路中由于寄生電容的影響，導致的電路輸入阻抗改變的現象，最終的影響表現在電路的頻率響應發(fā)生改變。

輸入電容Ciss

DS短接，用交流信號測得的GS之間的電容，Ciss由GS電容和GD電容并聯(lián)而成，即Ciss=Cgs+Cgd，當輸入電容充電至閾值電壓，MOS管才打開(kāi)，放電至一定的值，MOS管才關(guān)閉，所以Ciss和MOS管的開(kāi)關(guān)時(shí)間有很大的關(guān)系。

輸出電容Coss

GS短接，用交流信號測得的DS之間的電容，Coss由GD電容和DS電容并聯(lián)而成，即Coss=Cgd+Cds。

反向傳輸電容Crss

S接地，GD之間的電容，即Crss=Cgd。

t0-t1：

◆當驅動(dòng)開(kāi)通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd，主要是為Cgs充電)，由于輸入電容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，這也是限制MOS管開(kāi)關(guān)速度的一個(gè)因素；VGS緩慢上升到VGS(th)，在這個(gè)過(guò)程中，MOS管一直處于關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)已有微小的電流流過(guò)；VDS的電壓保持VDD不變。

t1~t2：

◆當VGS達到VGS(th)，MOS開(kāi)始導通，此時(shí)柵極電壓繼續給輸入電容Ciss充電，漏極開(kāi)始流過(guò)電流ID，隨著(zhù)VGS的上升，ID也逐漸增大，VDS仍然保持VDD；在功率MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，此階段功耗比較大，在VGP點(diǎn)達到最大，但持續時(shí)間相對較短。

t2~t3：

◆當VGS電壓達到VGP，ID達到最大值，VDS開(kāi)始下降，CGD上的電壓也隨之減小，也就伴隨著(zhù)CGD的放電，柵極電流基本上用于 CGD 的放電，使得MOSFET的柵極電壓基本保持不變，此時(shí)進(jìn)入米勒平臺時(shí)期(米勒平臺就是對GS充電、放電過(guò)程中，VGS電壓保持不變的時(shí)間段)，米勒平臺的存在使得開(kāi)關(guān)時(shí)間增長(cháng)，開(kāi)關(guān)損耗增大。

t3~t4：

◆CGD放電完成，米勒平臺結束，VDS繼續下降，ID保持不變，MOSFET基完全導通。

為了減小米勒效應對MOS開(kāi)關(guān)速度帶來(lái)的影響，可以采取以下幾點(diǎn)措施：

選擇Cgd較小的MOS管；

1.提高驅動(dòng)電壓，避免出現驅動(dòng)電壓臨界于平臺電壓的現象；

2.增強控制信號的驅動(dòng)能力；

3.降低VDD電壓。